Pelapisan ion memanfaatkan pelepasan gas dalam kondisi vakum untuk mengionisasi gas atau material yang diuapkan. Di bawah pemboman ion gas atau ion material yang menguap, material yang menguap atau reaktannya diendapkan ke benda kerja. Ini termasuk pelapisan ion sputtering magnetron, pelapisan ion reaktif, pelapisan ion pelepasan katoda berongga (penguapan katoda berongga), dan pelapisan ion multi-arc (pelapisan ion busur katoda). Pelapisan ion menggabungkan teknologi pelepasan cahaya dan plasma dengan penguapan vakum, yang secara signifikan meningkatkan kinerja pelapisan dan memperluas penerapannya. Selain berbagi keunggulan sputtering vakum, pelapisan ion menawarkan daya rekat film yang kuat, sifat difraksi yang sangat baik, dan beragam bahan pelapis.
Akibatnya, ia mengalami perkembangan pesat baik di dalam negeri maupun internasional dalam beberapa tahun terakhir. Prinsip dasar pelapisan ion adalah mengionisasi uap logam atau paduan menggunakan pelepasan cahaya atau busur dari gas inert. Pelapisan ion melibatkan pemanasan, penguapan, dan pengendapan bahan pelapis (seperti TiN dan TiC).
Saat atom bahan pelapis yang diuapkan melewati zona cahaya, sebagian kecil menjadi terionisasi dan, di bawah pengaruh medan listrik, terbang menuju benda kerja, menghantam permukaan dengan energi beberapa ribu elektron volt. Mereka dapat menembus substrat hingga kedalaman beberapa nanometer, secara signifikan meningkatkan daya rekat lapisan. Atom material yang teruapkan yang terionisasi langsung diendapkan pada benda kerja untuk membentuk film. Percikan ion gas inert dan ion bahan pelapis pada permukaan benda kerja juga menghilangkan kontaminan, sehingga meningkatkan daya rekat.
Teknologi yang digunakan oleh mesin pelapis vakum ion, mesin pelapis evaporasi, dan mesin pelapis sputtering magnetron berbeda. Prinsip teknologi pelapisan ini juga memiliki keunggulan tersendiri. Metode pelapisan yang berbeda dapat dipilih sesuai dengan benda kerja pelapis dan lapisan film untuk memenuhi permintaan pasar.
